IRF7103TRPBF vs IRF7101TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7103TRPBF và IRF7101TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF7103TRPBF

+BOM

3890 PCS | Công nghệ Infineon
IRF7101TRPBF

+BOM

4760 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOIC-8 SOIC-8
Mô tả MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 50V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A 3.5A
RdsOn(Max)@IdVgs 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 30nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290pF @ 25V 320pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IRF7103TRPBF IRF7101TRPBF

+BOM RFQ