IRF7303TRPBF vs IRF7313TRPBF-1 So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7303TRPBF và IRF7313TRPBF-1 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SO-8
SOIC-8
Mô tả
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Standard
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
4.9A
6.5A (Ta)
Rds On(Max) @ Id Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 10V
33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
520pF @ 25V
650pF @ 25V
Power - Max
2W
2W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
