IRF7303TRPBF vs IRF7341TRPBF So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7341TRPBF và IRF7303TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF7341TRPBF

+BOM

4836 PCS | Công nghệ Infineon
IRF7303TRPBF

+BOM

5181 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SO-8 SO-8
Mô tả MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.7A 4.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 740pF @ 25V 520pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IRF7341TRPBF IRF7303TRPBF

+BOM RFQ