IRF7303TRPBF vs IRF7389 So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7303TRPBF và IRF7389 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF7303TRPBF

+BOM

5181 PCS | Công nghệ Infineon
IRF7389

+BOM

5901 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SO-8 SOIC-8
Mô tả MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 520pF @ 25V 650pF @ 25V
Power - Max 2W 2.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.9A -
Mô hình so sánh : IRF7303TRPBF IRF7389

+BOM RFQ