IRF7832TRPBF vs IRF7862TRPBF So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7832TRPBF và IRF7862TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF7832TRPBF

+BOM

3081 PCS | Công nghệ Infineon
IRF7862TRPBF

+BOM

6329 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SO-8 SO-8
Mô tả MOSFET N-CH 30V 20A 8SO MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Ta) 21A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4mOhm @ 20A, 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.32V @ 250µA 2.35V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 45 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4310 pF @ 15 V 4090 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IRF7832TRPBF IRF7862TRPBF

+BOM RFQ