IRFB38N20DPBF vs IRFB3307PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB38N20DPBF và IRFB3307PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB38N20DPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
6086 PCS
Package
TO-220
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ
Part B

IRFB3307PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
7797 PCS
Package
TO-220-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB38N20DPBF IRFB3307PBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V 75 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 43A (Tc) 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 54mOhm @ 26A, 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 5150 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 200W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ