IRFB3307PBF vs IRFB3806PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB3307PBF và IRFB3806PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3307PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 7797 PCS
Package: TO-220-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Part B

IRFB3806PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 5920 PCS
Package: TO-220-3
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFB3307PBF	IRFB3806PBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	130A (Tc)	43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	6.3mOhm @ 75A, 10V	15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 150µA	4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	180 nC @ 10 V	30 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	5150 pF @ 50 V	1150 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)	71W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ