IRFB3806PBF vs IRFB3307PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRFB3307PBF và IRFB3806PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRFB3307PBF

+BOM

7797 PCS | Công nghệ Infineon
IRFB3806PBF

+BOM

5920 PCS | Công nghệ Infineon
Gói TO-220-3 TO-220-3
Mô tả MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 75 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 130A (Tc) 43A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6.3mOhm @ 75A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 150µA 4V @ 50µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 180 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5150 pF @ 50 V 1150 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 200W (Tc) 71W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Mô hình so sánh : IRFB3307PBF IRFB3806PBF

+BOM RFQ