IRLML6401TRPBF vs IRLML5203TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRLML6401TRPBF và IRLML5203TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML6401TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
6783 PCS
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs
+BOM RFQ
Part B

IRLML5203TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle
Active
Stock
4490 PCS
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs
+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRLML6401TRPBF IRLML5203TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Last Time Buy
Base Product Number IRLML6401 IRLML5203
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Ta) 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.3A, 4.5V 98mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V 14 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±8V ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830 pF @ 10 V 510 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.25W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Compare RFQ