IRLML6302TRPBF vs IRLML2502TRPBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRLML2502TRPBF và IRLML6302TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRLML2502TRPBF

+BOM

1725 PCS | Công nghệ Infineon
IRLML6302TRPBF

+BOM

5057 PCS | Công nghệ Infineon
Gói
Mô tả MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Obsolete
Base Product Number IRLML2502 IRLML6302
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta) 780mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.45 V
Vgs (Max) ±12V ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 15 V 97 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta) 540mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Mô hình so sánh : IRLML2502TRPBF IRLML6302TRPBF

+BOM RFQ