IRLML6246TRPBF vs IRLML6302TRPBF So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa IRLML6302TRPBF và IRLML6246TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SOT-23-3
Mô tả
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
IRLML6302
-
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
780mA (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 610mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.6 nC @ 4.45 V
-
Vgs (Max)
±12V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
97 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
540mW (Ta)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
4.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1.1V @ 5µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
3.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
290 pF @ 16 V
