NTJD4105CT1G vs NTJD4158CT2G

Bảng so sánh chi tiết giữa NTJD4105CT1G và NTJD4158CT2G cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTJD4105CT1G

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4611 PCS
Package
SOT-363
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Part B

NTJD4158CT2G

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4942 PCS
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification NTJD4105CT1G NTJD4158CT2G
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel -
FET Feature Logic Level Gate -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 8V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 630mA, 775mA -
Rds On(Max) @ Id Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V -
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 46pF @ 20V -
Power - Max 270mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -