NTJD4105CT1G vs NTJD4401NT1

Bảng so sánh chi tiết giữa NTJD4105CT1G và NTJD4401NT1 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTJD4105CT1G

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4611 PCS
Package: SOT-363
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Part B

NTJD4401NT1

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4174 PCS
Package: SC-88
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	NTJD4105CT1G	NTJD4401NT1
Supplier	-	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V, 8V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	630mA, 775mA	630mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	375mOhm @ 630mA, 4.5V	375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	3nC @ 4.5V	3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	46pF @ 20V	46pF @ 20V
Power - Max	270mW	270mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ