AIHD10N60RFATMA1

Hình ảnh chỉ để tham khảo

AIHD10N60RFATMA1

+BOM

IC DISCRETE 600V TO252-3

  • Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon

  • Ông. Phần #AIHD10N60RFATMA1

  • Gói TO-252-3

  • Có sẵn2249

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier Infineon Technologies
Package / Case Tape & Reel (TR)
Part Status Active
IGBT Type Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 20 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 30 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.5V @ 15V, 10A
Power - Max 150 W
Switching Energy 190µJ (on), 160µJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge 64 nC
Td(on / off) @ 25°C 12ns/168ns
Test Condition 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

Sản phẩm liên quan đến AIHD10N60RFATMA1