Hình ảnh chỉ để tham khảo
SIGC25T60NCX1SA2
+BOMIGBT 3 CHIP 600V WAFER
-
Nhà sản xuấtCông nghệ Infineon
-
Ông. Phần #SIGC25T60NCX1SA2
-
Bảng dữ liệu SIGC25T60NCX1SA2 DataSheet
-
Gói Die
-
Có sẵn2583
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 600 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 90 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| Input Type | Standard |
| Td(on / off) @ 25°C | 21ns/110ns |
| Test Condition | 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
