2N7002ET1G vs 2N7002E-T1-E3

Bảng so sánh chi tiết giữa 2N7002ET1G và 2N7002E-T1-E3 cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Replacement verdict

Compatible functional replacement candidate

The 2N7002ET1G and 2N7002E-T1-E3 are functionally equivalent N-channel small-signal MOSFETs sharing the same SOT-23 package, 60 V drain-source voltage rating, and 300 mA continuous drain current capability. Both parts are suitable for low-side switching, level shifting, and small-signal amplification applications. Designers may treat them as interchangeable in most circuits, though final validation against the specific manufacturer datasheet is recommended to confirm gate threshold, on-resistance, and thermal characteristics for the target application.

Package Type High match
Drain-Source Voltage Rating High match
Continuous Drain Current High match
On-Resistance and Gate Threshold Validation required

Parts at a glance

Part A

2N7002ET1G

onsemi

Lifecycle
Active
Stock
4059 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Part B

2N7002E-T1-E3

Sản phẩm Vishay Siliconix

Lifecycle
Active
Stock
7566 PCS
Package
SOT-23-3
Series
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification 2N7002ET1G 2N7002E-T1-E3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 260mA (Ta) 240mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.5Ohm @ 240mA, 10V 3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.81 nC @ 5 V 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 26.7 pF @ 25 V 21 pF @ 5 V
Power Dissipation (Max) 300mW (Tj) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount