FDMC8030 vs FDMC86259P

Bảng so sánh chi tiết giữa FDMC8030 và FDMC86259P cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDMC8030

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3544 PCS
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays

+BOM RFQ

Part B

FDMC86259P

onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 7633 PCS
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	FDMC8030	FDMC86259P
Series	PowerTrench®	PowerTrench®
Part Status	Obsolete	Active
Base Product Number	FDMC80	FDMC86259
FET Type	-	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V	150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A	3.2A (Ta), 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 12A, 10V	107mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	32 nC @ 10 V
Vgs (Max)	-	±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1975pF @ 20V	2045 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max)	-	2.3W (Ta), 62W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
Configuration	2 N-Channel (Dual)	-
FET Feature	Logic Level Gate	-
Power - Max	800mW	-

Compare RFQ