IRF5851TRPBF vs IRF5850TRPBF So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF5851TRPBF và IRF5850TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF5851TRPBF

+BOM

8874 PCS | Công nghệ Infineon
IRF5850TRPBF

+BOM

5166 PCS | Công nghệ Infineon
Gói TSOT-23-6 TSOT-23-6
Mô tả MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.7A, 2.2A 2.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 90mOhm @ 2.7A, 4.5V 135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.25V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 400pF @ 15V 320pF @ 15V
Power - Max 960mW 960mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IRF5851TRPBF IRF5850TRPBF

+BOM RFQ