IRF7104TRPBF vs IRF7104PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7104TRPBF và IRF7104PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7104TRPBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 22804 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Part B

IRF7104PBF

Công nghệ Infineon

Lifecycle: Active
Stock: 6055 PCS
Package: SOIC-8
Series: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

+BOM RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7104TRPBF	IRF7104PBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.3A	2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	250mOhm @ 1A, 10V	250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	25nC @ 10V	25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	290pF @ 15V	290pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ