IRF7313TRPBF vs IRF7341QTRPBF So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7313TRPBF và IRF7341QTRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF7313TRPBF

+BOM

4931 PCS | Công nghệ Infineon
IRF7341QTRPBF

+BOM

6461 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOIC-8 SOIC-8
Mô tả MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.5A 5.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 33nC @ 10V 44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650pF @ 25V 780pF @ 25V
Power - Max 2W 2.4W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mô hình so sánh : IRF7313TRPBF IRF7341QTRPBF

+BOM RFQ