IRF7380PBF vs IRF7379QTRPBF So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7380PBF và IRF7379QTRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SOIC-8
SOIC-8
Mô tả
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Infineon Technologies
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
80V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
3.6A
5.8A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
73mOhm @ 2.2A, 10V
45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
23nC @ 10V
25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
660pF @ 25V
520pF @ 25V
Power - Max
2W
2.5W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
