IRF9358TRPBF vs IRF9310PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF9358TRPBF và IRF9310PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF9358TRPBF

+BOM

6157 PCS | Công nghệ Infineon
IRF9310PBF

+BOM

4563 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SO-8 SO-8
Mô tả MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) P-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 9.2A 20A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 16.3mOhm @ 9.2A, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 25µA 2.4V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 165 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1740pF @ 25V 5250 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) - 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
FETFeature Logic Level Gate -
Power-Max 2W -
Mô hình so sánh : IRF9358TRPBF IRF9310PBF

+BOM RFQ