IRF9358TRPBF vs IRF9389TRPBF So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF9389TRPBF và IRF9358TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF9389TRPBF

+BOM

2112 PCS | Công nghệ Infineon
IRF9358TRPBF

+BOM

6157 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SO-8 SO-8
Mô tả MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.8A, 4.6A 9.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.3V @ 10µA 2.4V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 14nC @ 10V 38nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 398pF @ 15V 1740pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IRF9389TRPBF IRF9358TRPBF

+BOM RFQ