IRF9388TRPBF vs IRF9310PBF

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF9310PBF và IRF9388TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF9310PBF

+BOM

4563 PCS | Công nghệ Infineon
IRF9388TRPBF

+BOM

1405 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SO-8 SO-8
Mô tả MOSFET P-CH 30V 20A 8SO MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Tc) 12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 4.6mOhm @ 20A, 10V 8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 100µA 2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 165 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5250 pF @ 15 V 1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IRF9310PBF IRF9388TRPBF

+BOM RFQ