IRF9393TRPBF vs IRF9358PBF
Bảng so sánh chi tiết giữa IRF9393TRPBF và IRF9358PBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SOIC-8
Mô tả
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
-
Discontinued at Digi-Key
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
1740pF @ 25V
Power - Max
-
2W
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
IRF9358
ProductStatus
Active
-
FETType
P-Channel
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
9.2A (Ta)
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V, 20V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
13.3mOhm @ 9.2A, 20V
-
Vgs(th)(Max)@Id
2.4V @ 25µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
38 nC @ 10 V
-
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1110 pF @ 25 V
-
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
