Hình ảnh chỉ để tham khảo
GA03JT12-247
+BOMTRANS SJT 1200V 3A TO247AB
-
Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor
-
Ông. Phần #GA03JT12-247
-
Bảng dữ liệu GA03JT12-247 DataSheet
-
Có sẵn8267
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3A (Tc) (95°C) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 460mOhm @ 3A |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
