GA05JT12-263

Hình ảnh chỉ để tham khảo

GA05JT12-263

+BOM

TRANS SJT 1200V 15A D2PAK

  • Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor

  • Ông. Phần #GA05JT12-263

  • Bảng dữ liệu GA05JT12-263 DataSheet

  • Có sẵn4297

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 15A (Tc)
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263-7

Sản phẩm liên quan đến GA05JT12-263