GA04JT17-247

Hình ảnh chỉ để tham khảo

GA04JT17-247

+BOM

TRANS SJT 1700V 4A TO247AB

  • Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor

  • Ông. Phần #GA04JT17-247

  • Có sẵn8044

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A (Tc) (95°C)
Rds On(Max) @ Id Vgs 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AB

Sản phẩm liên quan đến GA04JT17-247