GA05JT12-247

Hình ảnh chỉ để tham khảo

GA05JT12-247

+BOM

TRANS SJT 1200V 5A TO247AB

  • Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor

  • Ông. Phần #GA05JT12-247

  • Có sẵn8615

365 Đảm bảo chất lượng ngày

7*24 giờ dịch vụ quarantee

90-Bảo hành sau bán hàng ngày

Bảo hành sản phẩm chính xác

Thông số kỹ thuật

thuộc tính Giá trị
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 280mOhm @ 5A
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AB

Sản phẩm liên quan đến GA05JT12-247