IRF7317TRPBF vs IRF7335D1TR So sánh

Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7317TRPBF và IRF7335D1TR cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
IRF7317TRPBF

+BOM

2170 PCS | Công nghệ Infineon
IRF7335D1TR

+BOM

5954 PCS | Công nghệ Infineon
Gói SOIC-8 SOIC-14
Mô tả MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® FETKY™
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.6A, 5.3A 10A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 17.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 900pF @ 15V 1500pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Mô hình so sánh : IRF7317TRPBF IRF7335D1TR

+BOM RFQ