IRF9389TRPBF vs IRF9388TRPBF So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa IRF9389TRPBF và IRF9388TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SO-8
SO-8
Mô tả
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N and P-Channel
P-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.8A, 4.6A
12A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
10V, 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.3V @ 10µA
2.4V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
14nC @ 10V
52 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±25V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
398pF @ 15V
1680 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
-
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate
-
Power - Max
2W
-
