Hình ảnh chỉ để tham khảo
G3R20MT12N
+BOMSIC MOSFET N-CH 105A SOT227
-
Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor
-
Ông. Phần #G3R20MT12N
-
Có sẵn203
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Series | G3R™ |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 105A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 15V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 24mOhm @ 60A, 15V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.69V @ 15mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 219 nC @ 15 V |
| Vgs(Max) | +20V, -10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 5873 pF @ 800 V |
| Power Dissipation (Max) | 365W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
