Hình ảnh chỉ để tham khảo
GA100JT12-227
+BOMTRANS SJT 1200V 160A SOT227
-
Nhà sản xuấtGeneSiC Semiconductor
-
Ông. Phần #GA100JT12-227
-
Bảng dữ liệu GA100JT12-227 DataSheet
-
Có sẵn8479
365 Đảm bảo chất lượng ngày
7*24 giờ dịch vụ quarantee
90-Bảo hành sau bán hàng ngày
Bảo hành sản phẩm chính xác
Thông số kỹ thuật
| thuộc tính | Giá trị |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10mOhm @ 100A |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 14400 pF @ 800 V |
| Power Dissipation (Max) | 535W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
