IRF7104TRPBF vs IRF7105QTRPBF So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa IRF7104TRPBF và IRF7105QTRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SOIC-8
SOIC-8
Mô tả
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
2.3A
3.5A, 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 10V
27nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
290pF @ 15V
330pF @ 15V
Power - Max
2W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
