IRF9389TRPBF vs IRF9310TRPBF So sánh
Bảng so sánh chi tiết giữa IRF9310TRPBF và IRF9389TRPBF cung cấp những thông tin giá trị về thông số kỹ thuật và các tính năng chính của chúng. Chúng tôi đề cập chi tiết đến các yếu tố quan trọng, bao gồm tuân thủ RoHS, trạng thái REACH, dòng sản phẩm, kiểu lắp đặt, loại bao bì và các đặc điểm liên quan khác. Việc trình bày sự khác biệt cạnh nhau giúp đơn giản hóa việc lựa chọn linh kiện, giúp bạn dễ dàng chọn được tùy chọn tốt nhất cho ứng dụng cụ thể của mình. Để biết thêm thông tin, vui lòng tham khảo bảng dữ liệu của chúng hoặc liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi để được hỗ trợ lựa chọn linh kiện phù hợp cho thiết kế của bạn.
Thông số kỹ thuật
Gói
SO-8
Mô tả
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
Active
Base Product Number
IRF9310
-
FET Type
P-Channel
N and P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5250 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
FET Feature
-
Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
6.8A, 4.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.3V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
14nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
398pF @ 15V
Power - Max
-
2W
